CA-IS3214MCG

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量产

适用于IGBT/SiC、高 CMTI、10A 拉/灌电流的单通道增强隔离栅极驱动器

CA-IS3214 是一系列基于电容隔离的单通道栅极驱 动器,可用于驱动MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 等功率 器件。该驱动器具有出色的动态性能和高可靠性,同时 具有高达10A/10A 峰值的拉/灌电流能力。 CA-IS3214 通过 SiO2 电容隔离技术实现控制侧与驱 动侧的电气隔离,支持 1.5kVRMS的隔离工作电压、12.8 kVPK 浪涌抗扰度,额定工作电压下隔离栅寿命超过 40 年,同时具有良好的器件一致性以及>150kV/μs 的共模 瞬态抗扰度 (CMTI)。 

CA-IS3214 具有控制和驱动侧电源UVLO功能,同时 针对 SiC 和 IGBT 开关行为进行了优化,并提高了可靠 性。此外,CA-IS3214MxG 内置5A 峰值电流有源米勒钳 位;CA-IS3214SxG 和 CA-IS3214TSCG 具有 OUTH 和OUTL 分离输出配置。 

CA-IS3214 输入 IN+/IN–提供 CMOS 或者 TTL 逻辑选 项,其中CA-IS3214TSCG为TLL逻辑,其它料号为CMOS 逻辑。

CA-IS3214 器件采用 8 引脚宽体 SOIC 封装。所有器 件的额定工作结温范围为 –40°C至 +150°C。

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  • 特性

    驱动高达 2121VPK的 SiC MOSFET 和 IGBT

    10A/10A 峰值拉/灌驱动电流能力

    输入CMOS或者TTL(CA-IS3214TSCG)逻辑

    宽电源范围

    3.0V 至 5.5V 输入侧 VCC 电源范围
    高达 33V 的输出驱动电源(VDD – VEE),具有两种UVLO 选项: B版本:8V 、C版本:12.5V

    输入引脚上30ns(典型值)脉冲抑制功能

    延时特性

    80ns(典型值)传播延迟
    15ns(最大值)脉宽失真
    15ns(最大值)器件间延时匹配

    SOIC8-WB 封装,爬电距离和电气间隙>8.2mm, 5700VRMS隔离耐压等级

    高共模瞬态抗扰度

    >150kV/μs

    额定工作电压下隔离栅寿命大于40年

    工作结温(TJ)范围 :–40°C至 150°C

  • 应用

    • 电机逆变器

    • 新能源车载充电器

    • 光伏逆变器

  • 器件信息


    器件型号封装封装尺寸(标称值)
    CA-IS3214xxGSOIC8-WB (G)5.85mm x 7.50mm 
    CA-IS3214TSCGSOIC8-WB (G)5.85mm x 7.50mm


  • 简化通道结构图

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